三星開始量產第8代V-NAND,存儲密度高達1Tb

2022-11-08 10:37 來源:美通社 作者:電源網
  • 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產品中最高的存儲密度,可更高效地為企業(yè)擴展存儲空間

深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作為全球化的半導體企業(yè),正如在2022年度閃存峰會和2022年度三星內存技術日上所承諾的,三星今日宣布,已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb(太字節(jié))三比特單元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。

三星電子第八代V-NAND,1Tb
三星電子第八代V-NAND,1Tb

三星閃存產品與技術執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示:"市場對更高密度、更大容量存儲的需求,推動了V-NAND層數(shù)的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術,減少表面積并降低高度,同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求,更好地提供差異化產品和解決方案,有望成為未來存儲創(chuàng)新的基礎。"

三星電子第八代V-NAND,1Tb(晶圓背景)
三星電子第八代V-NAND,1Tb(晶圓背景)

通過這項技術,三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度,使三星的存儲密度達到了新的高度。基于最新NAND閃存標準Toggle DDR 5.0接口*的三星第8代V-NAND,其輸入和輸出(I/O)速度高達2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,這可以滿足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。

三星第8代V-NAND有望成為存儲配置的基石,幫助擴展下一代企業(yè)服務器的存儲容量,同時其應用范圍還將拓展至可靠性尤為重要的車載市場。

*編者按:Toggle DDR接口版本——1.0(133Mbps)、2.0(400Mbps)、3.0(800Mbps)、4.0(1200Mbps)和5.0(2400Mbps)

*本文中的產品圖片以及型號、數(shù)據(jù)、功能、性能、規(guī)格參數(shù)等僅供參考,三星有可能對上述內容進行改進,具體信息請參照產品實物、產品說明書或三星半導體官網(https://semiconductor.samsung.com/cn/)。除非經特殊說明,本網站中所涉及的數(shù)據(jù)均為三星內部測試結果,涉及的對比均為與三星產品相比較。

三星 V-NAND

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